Samsung Foundry подтверждает план действий: 2-нм чипы в 2025 году, 1.4-нм чипы в 2027 году
В октябре прошлого года согласно плану действий Samsung Foundry, было указано, что компания начнет массовое производство чипов по 2-нм техпроцессу к 2025 году, а два года спустя начнет работу над 1.4-нм техпроцессом. По данным CNBC, вчера утром Samsung подтвердила свои планы на будущее, добавив немного больше информации о разбивке 2-нм производства, которое начнется через два года.
Конкурирующие TSMC и Samsung являются единственными компаниями, которые в настоящее время находятся на 3 нм, и стоимость пластин, связанная с производством таких чипов, ограничивает их использование в смартфонах в этом году только A17 Bionic SoC. Этот чип будет использоваться в iPhone 15 Pro и iPhone 15 Pro Max уже в сентябре этого года.
Чем меньше технологический узел, тем меньше набор функций в чипах, включая транзисторы. Чем меньше транзисторы, тем большее их количество может поместиться в чипе, а чем больше количество транзисторов в чипе, тем он мощнее и энергоэффективнее. Для примера, в линейке iPhone 11 использовался 7-нм чип A13 Bionic, содержащий 8.5 миллиарда транзисторов. Модели iPhone 14 Pro оснащены A16 Bionic, которые производятся по третьему 5-нм техпроцессу TSMC, получившему название “4-нм”. Эти чипы содержат по 16 миллиардов транзисторов.
Samsung пытается догнать лидера отрасли TSMC, который собрал 59 % мирового дохода от литейного производства полупроводников в первом квартале этого года, согласно данным Counterpoint Research. Samsung Foundry была на втором месте, получив 13 % мирового дохода. Считается, что Apple приносит 25 % годового дохода TSMC.
Для справки, имеется информация, что компания из Купертино получила скидку на 3-нм пластины. Согласно данным Digitimes, та же ситуация может повториться, когда дело дойдет до 2-нм производства. Предполагается, что стоимость на пластины вырастет до 25 000 долларов за одну штуку.
TSMC перейдет на GAA, когда начнет производство 2-нм чипов в 2025 году
В то время как TSMC и Samsung Foundry выпускают 3-нм чипы, в чипах Samsung используются транзисторы с затворным обходом (GAA), которые позволяют затвору контактировать со всеми сторонами канала, уменьшая утечки напряжения и обеспечивая больший ток. TSMC все еще использует транзисторы FinFET в своих 3-нм чипах, у которых затвор контактирует с каналом с трех сторон. TSMC перейдет на GAA, когда начнет производство 2-нм чипов в 2025 году.
Samsung заявляет, что первые 2-нм чипы, которые она выпустит в 2025 году, будут предназначены для использования в мобильных устройствах, таких как смартфоны и планшеты. В 2026 году 2-нм технологический узел также будет производиться для использования в высокопроизводительных вычислениях, а в следующем году эти передовые чипы будут производиться для использования в автомобилях.
Компания также объявила о расширении мощностей по производству чипов за счет добавления производственных линий в Пхёнтхэке (Южная Корея) и Тейлоре (штат Техас).